三星3nm芯片有望在2022Q2量产, 首次引入GAA工艺

sun1a2b3c4d28天前0

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三星在去年的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,确认在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,分为早期的3GAE以及3GAP。近日,三星表示有望在本季度开始使用3GAE制造工艺进行大批量生产,在一份声明中写道:
“这是世界上首次大规模生产3nm GAA工艺来提高技术领先的地位。”
据三星介绍,MBCFET多桥-通道场效应晶体管工艺是其第一个使用的GAAFET工艺,作为一种全新的形式,不但保留了GAAFET工艺的优点,而且兼容之前的FinFET工艺技术。使用其3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时,可实现30%的性能提升、50%的功耗降低以及晶体管密度提高80%(包括逻辑和SRAM晶体管的混合)。

三星表示,除了功耗、性能和面积(PPA)上的改进,随着制程技术成熟,3nm工艺的良品率将会接近4nm工艺。不过鉴于过往这些年三星在5nm和4nm芯片制造上遇到的问题,这次3nm工艺的性能和功耗实际情况如何还有待观察。暂时还不清楚谁将成为三星3nm工艺的首家客户,毕竟过渡到全新的晶体管工艺是存在一定风险的,而且芯片设计人员需要开发全新的IP,价格并不便宜。
竞争对手之一的英特尔在Intel 7/4/3制程节点仍依赖FinFET,最早会在2024年才转向新型晶体管(称为RibbonFET)。另一个竞争对手台积电在N4和N3制程节点仍使用FinFET,要到N2制程节点才引入GAA工艺,大概会在2024年投入生产。
最新回复 (4)
  • lzhdim28天前
    引用2
    感谢分享
  • chenwen83428天前
    引用3
    头两天不是有个什么对比图来着三星3nm GAA性能估计能达到台漏电5nm已经不错了
  • 人撞猪上28天前
    引用4
    这个工艺的性能是不错的,只是密度远不如台积电3nm。
    如果顺利,这很可能是ZEN5和RDNA4的工艺了
  • 赫敏28天前
    引用5
    finfet玩不过了提前上纳米管,透支技术储备
  • 游客
    6
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